工学部

School of Engineering 八王子

東京工科大学 HOME> 学部・大学院案内> 工学部> 工学部 研究室一覧> 先端電子デバイス(中払)研究室

先端電子デバイス(中払)研究室

研究内容

先端電子デバイス(中払)研究室
クリックで拡大

シリコンなどの半導体はあらゆる情報技術を支える基盤材料ですが、従来のシリコントランジスタ技術の延長では世界中で膨大に増え続ける情報の処理で消費する電力を抑制することができません。そこで、シリコンに代わる新しい半導体材料としてグラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイドといった2次元物質が注目を集めています。これは原子1個から数個のほどの薄さの原子薄膜であり、テープで一枚ずつ剥がしたり、他の原子膜と好きなように貼り合わせることで、これまでにない機能が得られるようになります。本研究室では、これらの2次元物質の特徴を最大限に活かした最先端の電子デバイスを開発します。特に、従来のシリコン技術を凌駕する低消費電力トランジスタから、高感度センサー、更には原子レベルで平坦な界面を活用して、脳型コンピュータや量子計算制御に用いる新しいデバイス等において、この新しく魅力的な物質の技術を展開していきます。

研究テーマ

・遷移金属ダイカルコゲナイドの半導体特性の探求
・低消費電力トランジスタの開発
・センサーデバイスの開発
・2次元物質の新規電子デバイスの探索
・2次元電子系の物性物理

研究室の独自ページ

先端電子デバイス(中払)研究室

研究キーワード
半導体電子デバイス , 2次元物質 , グラフェン , 遷移金属ダイカルコゲナイド , 六方晶窒化硼素 , トランジスタ , センサー , 情報処理デバイス , 原子薄膜積層 , 2次元電子系
関連するSDGs
7.エネルギーをみんなにそしてクリーンに 9.産業と技術革新の基盤を作ろうを 11.住み続けられるまちづくりを
担当教員
教授 
中払 周/ナカハライ シュウ/NAKAHARAI Shu
専門分野:半導体工学、2次元層状物質、物性物理学